IRFH5210TRPBF

1. Lavere ledningstap
2. Muliggjør bedre termisk spredning
3. Økt pålitelighet
4. Økt krafttetthet
5.Multi-leverandør kompatibilitet
6.Enklere produksjon
7. Miljøvennligere
8. Økt pålitelighet

Produsentens delenummer:IRFH9310TRPBF
Produsent / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Del av beskrivelse: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Blyfri status / RoHS-status: Blyfri / RoHS-kompatibel
Lagertilstand: Ny original, 12000 stk lager tilgjengelig.
Send fra: Hong Kong
Forsendelsesmåte: DHL/Fedex/TNT/UPS
Produktattributt Attributtverdi Velg Attributt
Delenummer IRFH9310TRPBF
Produsent / Brand International Rectifier (Infineon Technologies)
Lager Antall 12000 stk Lager
Kategori Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET-er, MOSFET-er - Enkelt
Beskrivelse MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Blyfri status / RoHS-status: Blyfri / RoHS-kompatibel
Bredde - Innvendig -55°C ~ 150°C (TJ)
Spenning/strøm - utgang 1 PQFN (5x6)
Toleranse 5250pF @ 15V
Hale Type P-kanal
Trinnvinkel MOSFET (metalloksid)
Krympetemperatur Infineon Technologies
SFP/XFP Type ±20V
Fjernfunksjon HEXFET®
Pitch - Kabeloverflatemontering
Andre navn Blyfri / RoHS-kompatibel
Andre navn 1
Oscillator Type 8-PowerVDFN
Antall DAC-er 30V
Minimum flytende egenvekt -
Paringsorientering 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Produsentens delenummer IRFH9310TRPBFDKR-ND
Lengde - Barrel Digi-Reel®
Lampefarge 4,5V, 10V
Høy sidespenning - Maks (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funksjon 58nC @ 4,5V
Spolekraft aktiv
Kanalkapasitans (CS(av), CD(av)) 3,1W (Ta)
Kortleser Type 2,4V @ 100µA
Funksjoner og fordeler
Har resulterende fordeler
Lav RDSon (≤ 4,6mΩ) Lavere ledningstap
Bransjestandard PQFN-pakke Multi-Vendor-kompatibilitet
RoHS-kompatibel Inneholder ikke bly, ingen bromid og ingen halogen Miljøvennligere
resulterer i
Merk
Skjema mengde
IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm tape og spole 4000
Bestillbart delenummer Pakketype Standard Pakke
VDS -30 V
RDS(på) maks
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (typisk) 110 nC
RG (typisk) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Absolutte maksimale rangeringer
Parameterenheter
VDS Drain-to-Source spenning
VGS Gate-til-kilde spenning
ID @ TA = 25°C Kontinuerlig dreneringsstrøm, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Kontinuerlig dreneringsstrøm, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Kontinuerlig dreneringsstrøm, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Kontinuerlig dreneringsstrøm, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Kontinuerlig dreneringsstrøm, VGS @ -10V (begrenset pakke)
IDM Pulsed Drain Current
PD @TA = 25°C Effekttap
PD @ TA = 70°C Effekttap
Lineær reduksjonsfaktor W/°C
TJ Operating Junction og
TSTG lagringstemperaturområde
Gjentatt vurdering;pulsbredde begrenset med maks.krysstemperatur.
Startende TJ = 25°C, L = 1,1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Pulsbredde ≤ 400µs;driftssyklus ≤ 2 %.
Når montert på 1 tommers kvadratisk kobberplate.
Rθ måles ved TJ på omtrent 90°C.
KUN FOR DESIGNHJELP, ikke gjenstand for produksjonstesting.